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全球第一 台积电宣布研发2nm工艺 2024年问世

发布于: 2019-11-01 12:20:26

在今天的科技创新论坛上,TSMC R&D董事兼技术研究副总经理黄汉森,除了探讨未来将半导体技术扩展到0.1纳米的可能性外,还宣布了一个重要消息——TSMC已经开始了2纳米技术研发,预计将在四年后问世。

在TSMC目前的工艺规划中,7纳米工艺是去年大规模生产的。euv极紫外光刻技术首次在7nm处引入,并已投入大规模生产。

6纳米只是7纳米的升级版本,将于明年第一季度投入试生产。

5nm完全被导入euv极紫外光刻技术,并已开始危险的试生产。它将在明年年底大规模生产。苹果a14和amd的五代夏普龙(zen 4有望被采用),随后是增强的n5p工艺。

3n预计将于2021年试生产,2022年大规模生产。

事实上,TSMC今年6月宣布将开发一种2纳米工艺。工厂位于台湾新竹南方科技园,预计2024年投产。

根据TSMC给出的指数,2纳米过程是一个重要的节点。金属轨道(金属单元高度)保持在3纳米的5倍高,而栅极间距(晶体管栅极间距)减小到30纳米,金属间距(金属间距)减小到20纳米,比3纳米小23%。

然而,TSMC没有透露2纳米工艺所需的技术和材料,性能、功耗等指标甚至更不可能。

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